RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
33
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
18
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3564
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link