RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2708
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link