RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
4124
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link