RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2755
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link