RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2665
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link