RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2616
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link