RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2616
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link