RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3242
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link