RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3082
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link