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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
16.0
写入速度,GB/s
12.0
12.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3082
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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