RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3092
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link