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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
10.5
16.6
写入速度,GB/s
7.1
13.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3092
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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