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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905700-024.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
96
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
96
读取速度,GB/s
3,510.5
13.6
写入速度,GB/s
1,423.3
6.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1475
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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