RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
73
96
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
6.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
1475
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link