RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3876
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link