RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3635
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link