RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
71
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1277
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link