RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
71
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.3
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.2
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
54
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
4.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
1277
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link