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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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考慮すべき理由
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
71
周辺 -31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5.3
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
4.2
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
54
読み出し速度、GB/s
2,831.6
5.3
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
4.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
1277
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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