RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3336
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link