RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3257
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link