RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2254
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link