RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
40
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2254
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link