RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
80
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
80
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1775
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link