RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
52
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,904.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,850.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,904.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
913
3192
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link