Porównanie pamięci RAM SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Wynik ogólny

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

52 53

Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

4 4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

1,904.4 1,810.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

6400 5300

Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

913 786

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns