SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB против Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Средняя оценка

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Причины выбрать
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

52 53

Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

1,904.4 1,810.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5300

Около 1.21% выше полоса пропускания

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

52 53
Скорость чтения, Гб/сек

4,850.6 4,479.6
Скорость записи, Гб/сек

1,904.4 1,810.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 5300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

913 786

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM