SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB против Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    52 left arrow 53
    Около 2% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,904.4 left arrow 1,810.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    52 left arrow 53
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,850.6 left arrow 4,479.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,904.4 left arrow 1,810.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    913 left arrow 786
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения