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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
比较
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
总分
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
53
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,904.4
1,810.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
52
53
读取速度,GB/s
4,850.6
4,479.6
写入速度,GB/s
1,904.4
1,810.7
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
913
786
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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