SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

总分
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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

总分
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Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    52 left arrow 53
    左右 2% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    6400 left arrow 5300
    左右 1.21% 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    52 left arrow 53
  • 读取速度,GB/s
    4,850.6 left arrow 4,479.6
  • 写入速度,GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    913 left arrow 786
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