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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
比较
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
总分
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
53
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,904.4
1,810.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
52
53
读取速度,GB/s
4,850.6
4,479.6
写入速度,GB/s
1,904.4
1,810.7
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
913
786
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB RAM的比较
Mushkin 991763 (996763) 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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