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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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规格
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
10.9
15.2
写入速度,GB/s
7.5
10.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2571
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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