SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Unterschiede

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    52 left arrow 53
    Rund um 2% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    52 left arrow 53
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,850.6 left arrow 4,479.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    913 left arrow 786
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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