RAM-Vergleich SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Gesamtnote

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

52 53

Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,904.4 1,810.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

6400 5300

Rund um 1.21% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

913 786

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns