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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Comparez
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Note globale
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
53
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,904.4
1,810.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
52
53
Vitesse de lecture, GB/s
4,850.6
4,479.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,904.4
1,810.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
5300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
913
786
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Comparaison des RAM
Mushkin 991763 (996763) 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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