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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Comparar
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Pontuação geral
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
53
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,904.4
1,810.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
52
53
Velocidade de leitura, GB/s
4,850.6
4,479.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,904.4
1,810.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
913
786
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Comparações de RAM
Mushkin 991763 (996763) 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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