SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    52 left arrow 53
    Intorno 2% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    52 left arrow 53
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,850.6 left arrow 4,479.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    913 left arrow 786
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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