RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Comparar
Mushkin 991763 (996763) 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Pontuação geral
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
53
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,547.7
1,810.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
44
53
Velocidade de leitura, GB/s
5,974.3
4,479.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,547.7
1,810.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1066
786
Mushkin 991763 (996763) 4GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Comparações de RAM
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link