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Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Compara
Mushkin 991763 (996763) 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Puntuación global
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991763 (996763) 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
53
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,547.7
1,810.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
44
53
Velocidad de lectura, GB/s
5,974.3
4,479.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,547.7
1,810.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1066
786
Mushkin 991763 (996763) 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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