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Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
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Mushkin 991763 (996763) 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
総合得点
Mushkin 991763 (996763) 4GB
総合得点
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Mushkin 991763 (996763) 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
44
53
周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,547.7
1,810.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
53
読み出し速度、GB/s
5,974.3
4,479.6
書き込み速度、GB/秒
2,547.7
1,810.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
5300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1066
786
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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