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Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Comparez
Mushkin 991763 (996763) 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Note globale
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
53
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,547.7
1,810.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
44
53
Vitesse de lecture, GB/s
5,974.3
4,479.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,547.7
1,810.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
5300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1066
786
Mushkin 991763 (996763) 4GB Comparaison des RAM
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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