RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2068
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link