Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Pontuação geral
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 10
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 7.0
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 43
    Por volta de -23% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 35
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 10.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 7.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2506 left arrow 2068
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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