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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 43
    En -23% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2068

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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Memoria RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Memoria RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Memoria RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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Kingston 9965640-015.A00G 32GB
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