RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3061
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link