Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 122

Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

10.5 9.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.1 5.8

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 8500

Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1425 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns