Comparação RAM Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 122

Por volta de 76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.5 9.4

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.1 5.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 8500

Por volta de 2.26 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1425 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns