RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3146
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link