RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
68
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1792
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link