RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2490
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link