RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
55
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2701
2808
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link