RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
55
Autour de -49% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
55
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
13.8
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2701
2808
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link