Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия

  • Выше скорость записи
    13.8 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 55
    Около -49% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    55 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.8 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.8 left arrow 12.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2701 left arrow 2808
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения