Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

总分
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    13.8 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 55
    左右 -49% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16 left arrow 15.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    55 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    15.8 left arrow 16.0
  • 写入速度,GB/s
    13.8 left arrow 12.6
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2701 left arrow 2808
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较